IPI034NE7N3 G

מספר מוצר של יצרן:

IPI034NE7N3 G

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IPI034NE7N3 G-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3

תיאור מפורט:

N-Channel 75 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12804953

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IPI034NE7N3 G מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Infineon Technologies

אריזות

-

סדרה

OptiMOS™

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

75 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

100A (Tc)

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

3.4mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3.8V @ 155µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

117 nC @ 10 V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

8130 pF @ 37.5 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

214W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

PG-TO262-3

חבילה / מארז

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

מספר מוצר בסיסי

IPI034N

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

IPI034NE7N3 G-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

IPI034NE7N3 G-DG

IPI034NE7N3G

חבילה סטנדרטית

500

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק

IRFSL3207ZPBF

יצרן

Infineon Technologies

כמות זמינה

880

DiGi מספר חלק

IRFSL3207ZPBF-DG

מחיר ליחידה

1.46

סוג משאב

MFR Recommended

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

IRF7455TRPBF

MOSFET N-CH 30V 15A 8SO

infineon-technologies

IRLU8203PBF

MOSFET N-CH 30V 110A I-PAK

infineon-technologies

IPP110N20N3GXKSA1

MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3

infineon-technologies

IRFSL7537PBF

MOSFET N-CH 60V 173A TO262